| .. |
|
at32
|
ec7d94f69b
修改电流采集系数的宏定义名称
|
%!s(int64=2) %!d(string=hai) anos |
|
gd32
|
5f67231afd
PWM死区时间从400ns改为600ns（整体死区时间800-900ns），否则调制后mos板温度会一直升高
|
%!s(int64=2) %!d(string=hai) anos |
|
n32
|
ec7d94f69b
修改电流采集系数的宏定义名称
|
%!s(int64=2) %!d(string=hai) anos |
|
bsp.h
|
a3fdd3bf8c
Z信号捕获中断优先级改为4，不用0优先级，通过硬件把counter捕获到chan val中了
|
%!s(int64=2) %!d(string=hai) anos |
|
bsp_driver.h
|
fe92094061
add N32G45x MCU support
|
%!s(int64=3) %!d(string=hai) anos |
|
delay.c
|
64dea2f061
bsp架构梳理
|
%!s(int64=3) %!d(string=hai) anos |
|
delay.h
|
8fbbf019aa
去掉不使用的timer32 counter
|
%!s(int64=3) %!d(string=hai) anos |
kevin
5f67231afd
PWM死区时间从400ns改为600ns（整体死区时间800-900ns），否则调制后mos板温度会一直升高