kevin 5f67231afd PWM死区时间从400ns改为600ns(整体死区时间800-900ns),否则调制后mos板温度会一直升高 2 лет назад
..
adc.c 60a8222510 adc不支持非MC10x系列, mc100的I信号修改未timer3 ch2接入 2 лет назад
adc.h 0be2475256 重命名ADC_SAMPLE_TIME to ADC_INSERT_SAMPLE_TIME 2 лет назад
board_gd32demo.h 5474c1f6c6 change pwm_timer to MOS_PWM_TIMER 3 лет назад
board_mc100_v1.h 70e9e2457d 去掉不用的hwlim.dc_vol和对应的宏定义 2 лет назад
board_mc105_v3.h 5f67231afd PWM死区时间从400ns改为600ns(整体死区时间800-900ns),否则调制后mos板温度会一直升高 2 лет назад
board_yuanqu.h 6e838b672e 96vmode 修改未高压mode 2 лет назад
bsp.c b0bb565944 在配置设备中断前先配置系统的优先级为16个抢占优先级,1个子优先级 3 лет назад
bsp.h e5911d86bb 修改MC124的最低硬件支持的母线电压为40v 2 лет назад
can.c 617666b3e2 set mode,判断如果controller没有start,调用start 2 лет назад
can.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
enc_intf.c b592151f79 Z信号timer的滤波系数加大到0xF最大,尽量减少干扰,可以漏采,但是不能采错 2 лет назад
enc_intf.h 013294e3d2 1. 编码器Z信号使用timer处理上升沿,可以做数字滤波 2 лет назад
fan_pwm.c 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
fan_pwm.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
fmc_flash.c 426331c18c 1. 当相错误的时候,记录mc_error到flash中 3 лет назад
fmc_flash.h 45002af574 去掉torque table的flash读写 2 лет назад
gd32_bkp.c c0686b4705 update for gd32f305 3 лет назад
gd32_bkp.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
gd32_rtc.c 381929ce3e GD32 改为305 3 лет назад
gd32_rtc.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
gpio.c 0592bfd36a gpio读取状态加入编码器的4线 2 лет назад
gpio.h 0592bfd36a gpio读取状态加入编码器的4线 2 лет назад
i2c.c 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
i2c.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
mc_irqs.c 6ee6fdee8b 去掉backtrace,去掉jtag_debug 2 лет назад
pwm.c fe6465237c 工厂测试模式进入退出,3相电流采集,udet功能 2 лет назад
pwm.h fe6465237c 工厂测试模式进入退出,3相电流采集,udet功能 2 лет назад
sched_timer.c 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
sched_timer.h 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
uart.c 64dea2f061 bsp架构梳理 3 лет назад
uart.h e24d7f2090 调整内存大小,uart减小,相电流buff减小 2 лет назад